Technische Details SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO268, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): +22V, -6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Supplier Device Package: TO-268, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V.
Weitere Produktangebote SCT2H12NYTB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| SCT2H12NYTB | Rohm |
 SICFET N-CH 1700V 4A TO-268 Транзистори |
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SCT2H12NYTB | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO268 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): +22V, -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: TO-268 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SCT2H12NYTB | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO268 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Vgs (Max): +22V, -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: TO-268 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Cut Tape (CT) |
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SCT2H12NYTB | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide |
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SCT2H12NYTB | ROHM |
Description: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.7 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 18 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 44 Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal MOSFET-Konfiguration: Eins Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
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SCT2H12NYTB | ROHM |
Description: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V MOSFET-Konfiguration: Eins Transistormontage: Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 2 Wandlerpolarität: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
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| SCT2H12NYTB |
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Hersteller: Rohm
SICFET N-CH 1700V 4A TO-268 Транзистори
SICFET N-CH 1700V 4A TO-268 Транзистори
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| SCT2H12NYTB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
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| SCT2H12NYTB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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| SCT2H12NYTB |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
SiC MOSFETs N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
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| SCT2H12NYTB |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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| SCT2H12NYTB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
MOSFET-Konfiguration: Eins
Transistormontage: Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
MOSFET-Konfiguration: Eins
Transistormontage: Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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