SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
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Technische Details SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3017ALGC11 nach Preis ab 175.91 EUR bis 177.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor |
MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT3017ALGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 177.61 EUR |
| 10+ | 175.91 EUR |