SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: 650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 145.92 EUR |
| 30+ | 142.13 EUR |
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Technische Details SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3017ALGC11 nach Preis ab 147.82 EUR bis 149.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SCT3017ALGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3017ALGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT3017ALGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT3017ALGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 118A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 428W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 22.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC |
Produkt ist nicht verfügbar |