SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 162.24 EUR |
| 5+ | 153.62 EUR |
| 10+ | 145.22 EUR |
| 25+ | 126.32 EUR |
| 50+ | 118.01 EUR |
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Technische Details SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3022KLHRC11 nach Preis ab 157.4 EUR bis 172.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Power Dissipation (Max): 427W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Supplier Device Package: TO-247N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A Pulsed drain current: 237A Power dissipation: 427W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 28.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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