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SCT3022KLHRC11

SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor

sct3022klhr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3022klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 ROHM datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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SCT3022KLHRC11
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
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SCT3022KLHRC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 43 Stücke:
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2+209.99 EUR
5+191.09 EUR
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
auf Bestellung 199 Stücke:
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