SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 206.73 EUR |
10+ | 193.37 EUR |
25+ | 186.14 EUR |
50+ | 181.58 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 427W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SCT3022KLHRC11 nach Preis ab 184.9 EUR bis 207.31 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCT3022KLHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Power Dissipation (Max): 427W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Supplier Device Package: TO-247N Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||
SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 427W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||
SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Mounting: THT On-state resistance: 28.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 427W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 237A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Mounting: THT On-state resistance: 28.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 427W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 237A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A |
Produkt ist nicht verfügbar |