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SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11 Rohm Semiconductor


sct3030al-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details SCT3030ALGC11 Rohm Semiconductor

Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-247N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.

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SCT3030ALGC11 SCT3030ALGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor sct3030al-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCT3030ALGC11 SCT3030ALGC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3030AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
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SCT3030ALGC11 SCT3030ALGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor sct3030al-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCT3030ALGC11 SCT3030ALGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3030AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
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SCT3030ALGC11 SCT3030ALGC11 Hersteller : ROHM sct3030al-e.pdf Description: ROHM - SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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SCT3030ALGC11 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3030AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...22V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT3030ALGC11 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3030AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 70A
Power dissipation: 262W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Gate charge: 104nC
Mounting: THT
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
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Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 175A
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