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SCT3030ARHRC15

SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor

sct3030arhr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 438 Stücke:
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Technische Details SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor

Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Power Dissipation (Max): 262W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT3030ARHRC15 SCT3030ARHRC15 ROHM Semiconductor sct3030arhr-e.pdf SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 30m 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 745 Stücke:
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10+29.65 EUR
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SCT3030ARHRC15 SCT3030ARHRC15 ROHM 3902371.pdf Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.3 EUR
10+34.32 EUR
50+31.57 EUR
100+27.89 EUR
250+27.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor sct3030arhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
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7+28.83 EUR
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450+23.49 EUR
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Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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