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SCT3030ARHRC15

SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor

sct3030arhr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 438 Stücke:
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Technische Details SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor

Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT3030ARHRC15 SCT3030ARHRC15 ROHM 3902371.pdf Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.3 EUR
10+34.32 EUR
50+31.57 EUR
100+27.89 EUR
250+27.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SCT3030ARHRC15 SCT3030ARHRC15 ROHM Semiconductor sct3030arhr-e.pdf SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 30mO 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.93 EUR
10+29.65 EUR
450+29.43 EUR
900+27.88 EUR
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SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor sct3030arhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
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7+29.5 EUR
10+28.19 EUR
20+26.83 EUR
50+25.62 EUR
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250+23.87 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.3 EUR
10+33.68 EUR
50+31.67 EUR
100+29.32 EUR
200+28.06 EUR
450+24.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCT3030ARHRC15
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
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