SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 126.76 EUR |
| 30+ | 110.91 EUR |
| 120+ | 102.99 EUR |
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Technische Details SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 339W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SCT3030KLGC11 nach Preis ab 102.71 EUR bis 127.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SCT3030KLGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS |
auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3030KLGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 339W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3030KLGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W Mounting: THT Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 131nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 180A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 72A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCT3030KLGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W Mounting: THT Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 131nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 180A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 72A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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