SCT3060ALGC11 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 14.27 EUR |
| 30+ | 13.35 EUR |
| 120+ | 12.57 EUR |
| 510+ | 11.9 EUR |
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Technische Details SCT3060ALGC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.
Weitere Produktangebote SCT3060ALGC11 nach Preis ab 12.57 EUR bis 64.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3060ALGC11 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3060ALGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 165W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SCT3060ALGC11 | ROHM - Japan |
SiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 14.27 EUR |
| 30+ | 13.64 EUR |
| 120+ | 13.05 EUR |
| 510+ | 12.57 EUR |
| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 23.56 EUR |
| 10+ | 20.53 EUR |
| 25+ | 17.46 EUR |
| 30+ | 16.21 EUR |
| 50+ | 15.53 EUR |
| 100+ | 14.9 EUR |
| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 23.56 EUR |
| 10+ | 20.53 EUR |
| 25+ | 17.46 EUR |
| 30+ | 16.21 EUR |
| 50+ | 15.53 EUR |
| 100+ | 14.9 EUR |
| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.27 EUR |
| 30+ | 14.68 EUR |
| 120+ | 14.43 EUR |
| 510+ | 14.28 EUR |
| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 29.6 EUR |
| 10+ | 19.16 EUR |
| 100+ | 17.14 EUR |
| 450+ | 16.8 EUR |
| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 35.28 EUR |
| 9+ | 27.63 EUR |
| 11+ | 20.75 EUR |
| 50+ | 20.19 EUR |
| 100+ | 19.62 EUR |
| 250+ | 19.06 EUR |
| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SCT3060ALGC11 |
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Hersteller: ROHM - Japan
SiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
SiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 64.36 EUR |