SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor
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Technische Details SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 165W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SCT3060ALGC11 nach Preis ab 24.95 EUR bis 58.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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SCT3060ALGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 |
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SCT3060ALGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 165W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3060ALGC11 | Hersteller : ROHM - Japan |
SiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCT3060ALGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 165W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhanced Case: TO247 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT3060ALGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 165W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhanced Case: TO247 |
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