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SCT3080ALHRC11

SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor

sct3080alhr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 134W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT3080ALHRC11 SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor sct3080alhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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SCT3080ALHRC11 SCT3080ALHRC11 ROHM datasheet?p=SCT3080ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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SCT3080ALHRC11 SCT3080ALHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3080ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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SCT3080ALHRC11 SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
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SCT3080ALHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3080ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 30A; 134W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 892 Stücke:
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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100+15.03 EUR
250+14.26 EUR
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SCT3080ALHRC11
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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100+19.9 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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9+26.55 EUR
10+22.97 EUR
50+22.51 EUR
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1+33.95 EUR
10+26.54 EUR
100+25.16 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 30A; 134W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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4+28.86 EUR
5+20.17 EUR
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30+18.11 EUR
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