
SCT3080ARC14 ROHM Semiconductor

SiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 25.82 EUR |
10+ | 24.73 EUR |
25+ | 19.92 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCT3080ARC14 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT3080ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3080ARC14 nach Preis ab 10.43 EUR bis 31.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
SCT3080ARC14 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
SCT3080ARC14 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |