SCT3080ARC14 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
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Technische Details SCT3080ARC14 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT3080ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3080ARC14 nach Preis ab 10.43 EUR bis 31.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V |
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SCT3080ARC14 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3080ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3080ARC14 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3080ARC14 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3080ARC14 THT N channel transistors |
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