SCT3080ARC15 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 15.98 EUR |
| 10+ | 13.71 EUR |
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Technische Details SCT3080ARC15 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SCT3080ARC15 nach Preis ab 9.57 EUR bis 18.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SCT3080ARC15 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V, 30A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080ARC15 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3080ARC15 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3080ARC15 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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