SCT3080ARC15 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.81 EUR |
| 14+ | 17.24 EUR |
| 16+ | 13.97 EUR |
| 50+ | 12.8 EUR |
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Technische Details SCT3080ARC15 ROHM
Description: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SCT3080ARC15 nach Preis ab 10.06 EUR bis 22.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SCT3080ARC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L |
auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080ARC15 | Rohm Semiconductor |
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT3080ARC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3080ARC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3080ARC15 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.68 EUR |
| 10+ | 12.17 EUR |
| 100+ | 10.06 EUR |
| SCT3080ARC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.05 EUR |
| 10+ | 15.27 EUR |
| 50+ | 12.38 EUR |
| SCT3080ARC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 17.39 EUR |
| 13+ | 13.95 EUR |
| 25+ | 13.03 EUR |
| SCT3080ARC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 21.28 EUR |
| 11+ | 15.85 EUR |
| 50+ | 13.74 EUR |
| 100+ | 12.63 EUR |