SCT3080AW7TL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3080AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.26 EUR |
| 12+ | 20.35 EUR |
| 14+ | 15.9 EUR |
| 50+ | 15.58 EUR |
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Technische Details SCT3080AW7TL ROHM
Description: ROHM - SCT3080AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3080AW7TL nach Preis ab 14.76 EUR bis 29.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCT3080AW7TL | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3080AW7TL | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 125W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V |
auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT3080AW7TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 29A; 125W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 29A Power dissipation: 125W Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 48nC Gate-source voltage: -4...22V |
auf Bestellung 2001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCT3080AW7TL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.96 EUR |
| 10+ | 20.73 EUR |
| 100+ | 18.1 EUR |
| 500+ | 17.17 EUR |
| SCT3080AW7TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 29.98 EUR |
| 10+ | 21.16 EUR |
| 50+ | 17.4 EUR |
| 100+ | 16.2 EUR |
| 500+ | 14.76 EUR |
| SCT3080AW7TL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 29A; 125W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 125W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: -4...22V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 29A; 125W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 125W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: -4...22V
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)