Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3080KLGC11
SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11 Rohm Semiconductor

sct3080kl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+26.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SCT3080KLGC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 165W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote SCT3080KLGC11 nach Preis ab 23.8 EUR bis 63.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.91 EUR
30+27.23 EUR
120+23.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.08 EUR
10+27.33 EUR
100+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 ROHM 2702702.pdf Description: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.07 EUR
6+45.58 EUR
10+40.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11 ROHM - Japan datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11 datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080KLGC11
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+42.91 EUR
30+27.23 EUR
120+23.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11 datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080KLGC11
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+43.08 EUR
10+27.33 EUR
100+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11 2702702.pdf
SCT3080KLGC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+51.07 EUR
6+45.58 EUR
10+40.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11 datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM - Japan
SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+63.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH