SCT30N120


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Produktcode: 167630
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SCT30N120 SCT30N120 Hersteller : STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
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SCT30N120 SCT30N120 Hersteller : STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
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SCT30N120 SCT30N120 Hersteller : STMicroelectronics sct30n120.pdf SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
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SCT30N120 SCT30N120 Hersteller : STMicroelectronics sct30n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
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30+22 EUR
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SCT30N120 SCT30N120 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2308869.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SCT30N120 Hersteller : STM sct30n120.pdf MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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