Weitere Produktangebote SCT30N120 nach Preis ab 20.26 EUR bis 34.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
 SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Active Supplier Device Package: HiP247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ) Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT30N120 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT30N120 | Hersteller : STM |
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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