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SCT30N120

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Produktcode: 167630
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+25.3 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
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SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics sct30n120.pdf SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
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1+35.83 EUR
10+26.07 EUR
100+24.97 EUR
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SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics sct30n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
auf Bestellung 137 Stücke:
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1+41.2 EUR
30+26.18 EUR
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SCT30N120 SCT30N120 STMICROELECTRONICS 2308869.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.4 EUR
10+36.65 EUR
50+34.19 EUR
100+31.7 EUR
250+29.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
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SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
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SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
auf Bestellung 137 Stücke:
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30+26.18 EUR
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SCT30N120
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 565 Stücke:
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6+42.4 EUR
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50+34.19 EUR
100+31.7 EUR
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