SCT30N120 STMicroelectronics
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Technische Details SCT30N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCT30N120 nach Preis ab 21.12 EUR bis 35.80 EUR
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V |
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V |
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET |
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SCT30N120 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SCT30N120 Produktcode: 167630
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
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SCT30N120 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
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