SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
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Technische Details SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.
Weitere Produktangebote SCT3105KW7TL nach Preis ab 18.49 EUR bis 31.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SCT3105KW7TL | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L |
auf Bestellung 766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3105KW7TL | ROHM |
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3105KW7TL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.11 EUR |
| 10+ | 22.1 EUR |
| 100+ | 19.65 EUR |
| 500+ | 18.49 EUR |
| SCT3105KW7TL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 31.71 EUR |
| 9+ | 26.48 EUR |
| 10+ | 21.68 EUR |
| 50+ | 20.78 EUR |
| 100+ | 19.86 EUR |
| 250+ | 19.44 EUR |