SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
auf Bestellung 4430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 16.17 EUR |
| 30+ | 9.56 EUR |
| 120+ | 8.11 EUR |
| 510+ | 7.43 EUR |
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Technische Details SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 103W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3120ALGC11 nach Preis ab 7.96 EUR bis 16.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SCT3120ALGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3120ALGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 103W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3120ALGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3120ALGC11 THT N channel transistors |
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