
SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800.
Weitere Produktangebote SCT3160KLGC11 nach Preis ab 7.94 EUR bis 35.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SCT3160KLGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 |
auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3160KLGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3160KLGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3160KLGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Power dissipation: 103W Case: TO247 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCT3160KLGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Power dissipation: 103W Case: TO247 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3160KLGC11 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 103W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3160KLGC11 | Hersteller : ROHM - Japan |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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