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SCT3160KWATL

SCT3160KWATL ROHM Semiconductor

datasheet?p=SCT3160KWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
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Technische Details SCT3160KWATL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT3160KWATL SCT3160KWATL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
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10+12.15 EUR
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SCT3160KWATL SCT3160KWATL ROHM 4197378.pdf Description: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
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14+17.49 EUR
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SCT3160KWATL SCT3160KWATL ROHM 4197378.pdf Description: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
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SCT3160KWATL Rohm Semiconductor sct3160kwa-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
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Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 100W
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tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
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