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SCT4013DEC11

SCT4013DEC11 ROHM Semiconductor

datasheet?p=SCT4013DE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
auf Bestellung 641 Stücke:
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Technische Details SCT4013DEC11 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT4013DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT4013DEC11 SCT4013DEC11 ROHM sct4013de-e.pdf Description: ROHM - SCT4013DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 237 Stücke:
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5+48.68 EUR
10+38.19 EUR
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100+36.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCT4013DEC11 SCT4013DEC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4013DE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
auf Bestellung 299 Stücke:
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SCT4013DEC11 sct4013de-e.pdf
SCT4013DEC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4013DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Description: 750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
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