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SCT4013DRC15

SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor

sct4013dr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
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Technische Details SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 312W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor sct4013dr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
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SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
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SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor sct4013dr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
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SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
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SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 ROHM sct4013dr-e.pdf Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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SCT4013DRC15
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
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Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
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Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
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tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
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Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 116 Stücke:
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3+85.01 EUR
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