SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 43.7 EUR |
| 5+ | 36.22 EUR |
| 10+ | 33.55 EUR |
| 50+ | 28.7 EUR |
| 100+ | 27.25 EUR |
| 450+ | 25.44 EUR |
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Technische Details SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT4013DRC15 nach Preis ab 41.06 EUR bis 83.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCT4013DRC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape |
auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4013DRC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC |
auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4013DRC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4013DRC15 | Rohm Semiconductor |
Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STRPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V Power Dissipation (Max): 312W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4013DRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT4013DRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 55.29 EUR |
| SCT4013DRC15 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 62.61 EUR |
| 10+ | 49.55 EUR |
| 100+ | 46.35 EUR |
| 450+ | 46.33 EUR |
| SCT4013DRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 450+ | 65.88 EUR |
| SCT4013DRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 67.41 EUR |
| 30+ | 44.42 EUR |
| 120+ | 41.06 EUR |
| SCT4013DRC15 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 83.09 EUR |
| 5+ | 70.01 EUR |
| 10+ | 58 EUR |
| 50+ | 56.36 EUR |
| 100+ | 54.7 EUR |



