SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
auf Bestellung 131 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 37.54 EUR |
| 30+ | 32.27 EUR |
| 120+ | 30.73 EUR |
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Technische Details SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V, Power Dissipation (Max): 312W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote SCT4018KEC11 nach Preis ab 50.14 EUR bis 60.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SCT4018KEC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET SIC MOSFET |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4018KEC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |