| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.13 EUR |
| 10+ | 21.17 EUR |
| 100+ | 20.44 EUR |
| 450+ | 20.42 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCT4026DEC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT4026DEC11 nach Preis ab 20.02 EUR bis 42.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4026DEC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STRPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V Power Dissipation (Max): 176W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V |
auf Bestellung 4843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SCT4026DEC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SCT4026DEC11 |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Description: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
auf Bestellung 4843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.2 EUR |
| 30+ | 23.95 EUR |
| 120+ | 20.82 EUR |
| 510+ | 20.02 EUR |
| SCT4026DEC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 42.86 EUR |
| 7+ | 35.44 EUR |
| 10+ | 28.66 EUR |
| 50+ | 26.37 EUR |
| 100+ | 24.95 EUR |
| 250+ | 24.47 EUR |