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SCT4026DRHRC15

SCT4026DRHRC15 ROHM Semiconductor


datasheet?p=SCT4026DRHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 750V, 56A MOSFET
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Technische Details SCT4026DRHRC15 ROHM Semiconductor

Description: 750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V, Power Dissipation (Max): 176W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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SCT4026DRHRC15 SCT4026DRHRC15 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4026DRHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SCT4026DRHRC15 SCT4026DRHRC15 Hersteller : ROHM sct4026drhr-e.pdf Description: ROHM - SCT4026DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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