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SCT4026DWATL

SCT4026DWATL ROHM

4155168.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.13 EUR
12+19.23 EUR
50+17.91 EUR
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Technische Details SCT4026DWATL ROHM

Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT4026DWATL SCT4026DWATL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4026DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.25 EUR
10+22.12 EUR
100+19.04 EUR
500+19.02 EUR
1000+17.78 EUR
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SCT4026DWATL SCT4026DWATL ROHM 4155168.pdf Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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SCT4026DWATL SCT4026DWATL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4026DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.86 EUR
10+22.53 EUR
100+19.4 EUR
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SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
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Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
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