SCT4036KEHRC11 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 34.87 EUR |
| 10+ | 30.73 EUR |
| 100+ | 24.61 EUR |
| 450+ | 24.59 EUR |
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Technische Details SCT4036KEHRC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 176W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.
Weitere Produktangebote SCT4036KEHRC11 nach Preis ab 23.53 EUR bis 39.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SCT4036KEHRC11 | ROHM |
 Description: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247NtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 176W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4036KEHRC11 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V Power Dissipation (Max): 176W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT4036KEHRC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 39.06 EUR |
| 8+ | 31.81 EUR |
| 10+ | 25.25 EUR |
| 50+ | 25.01 EUR |
| 100+ | 24.76 EUR |
| 250+ | 24.26 EUR |
| SCT4036KEHRC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 39.5 EUR |
| 10+ | 28.3 EUR |
| 50+ | 23.53 EUR |