
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 23.85 EUR |
10+ | 21.01 EUR |
25+ | 20.45 EUR |
50+ | 19.31 EUR |
100+ | 18.16 EUR |
250+ | 17.62 EUR |
450+ | 16.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCT4045DRHRC15 ROHM Semiconductor
Description: 750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V, Power Dissipation (Max): 115W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SCT4045DRHRC15 nach Preis ab 14.25 EUR bis 26.31 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCT4045DRHRC15 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
SCT4045DRHRC15 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |