SCT4045DRHRC15 ROHM Semiconductor
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Technische Details SCT4045DRHRC15 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4045DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 115W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote SCT4045DRHRC15 nach Preis ab 13.89 EUR bis 28.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SCT4045DRHRC15 | Rohm Semiconductor |
 Description: 750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STRPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA Supplier Device Package: TO-247-4L Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4045DRHRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4045DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 115W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT4045DRHRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.62 EUR |
| 30+ | 16.17 EUR |
| 60+ | 14.93 EUR |
| 120+ | 13.89 EUR |
| SCT4045DRHRC15 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
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Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: ROHM - SCT4045DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 278 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 28.69 EUR |
| 11+ | 21.72 EUR |
| 14+ | 15.48 EUR |
| 50+ | 15.32 EUR |
| 100+ | 15.12 EUR |
| 250+ | 14.83 EUR |