SCT4045DWATL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
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Technische Details SCT4045DWATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 93W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.
Weitere Produktangebote SCT4045DWATL nach Preis ab 10.63 EUR bis 21.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SCT4045DWATL | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4045DWATL | Rohm Semiconductor |
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA Supplier Device Package: TO-263-7LA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4045DWATL | ROHM |
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 93W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4045DWATL | ROHM |
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 93W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT4045DWATL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.6 EUR |
| 10+ | 15.33 EUR |
| 100+ | 12.46 EUR |
| 500+ | 11.66 EUR |
| 1000+ | 11.04 EUR |
| SCT4045DWATL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.85 EUR |
| 10+ | 15.12 EUR |
| 100+ | 11.89 EUR |
| SCT4045DWATL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
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Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.9 EUR |
| 14+ | 17.39 EUR |
| 17+ | 13.33 EUR |
| 50+ | 12.08 EUR |
| 100+ | 10.84 EUR |
| 250+ | 10.63 EUR |
| SCT4045DWATL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
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auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.9 EUR |
| 14+ | 17.39 EUR |
| 17+ | 13.33 EUR |
| 50+ | 12.08 EUR |
| 100+ | 10.84 EUR |
| 250+ | 10.63 EUR |


