SCT4062KEC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details SCT4062KEC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4062KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SCT4062KEC11 nach Preis ab 14.95 EUR bis 23.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SCT4062KEC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-STPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V |
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SCT4062KEC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V SIC MOSFET |
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SCT4062KEC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT4062KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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