SCT4062KRHRC15 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 24.15 EUR |
| 10+ | 17.58 EUR |
| 100+ | 14.72 EUR |
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Technische Details SCT4062KRHRC15 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT4062KRHRC15 nach Preis ab 14.24 EUR bis 27.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCT4062KRHRC15 | ROHM |
 Description: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4062KRHRC15 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +21V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-4L Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA Power Dissipation (Max): 115W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT4062KRHRC15 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.99 EUR |
| 11+ | 19.55 EUR |
| 50+ | 17.99 EUR |
| 100+ | 14.54 EUR |
| 250+ | 14.24 EUR |
| SCT4062KRHRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.25 EUR |
| 10+ | 19.1 EUR |