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SCT50N120

SCT50N120 STMicroelectronics

SCT50N120.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
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Technische Details SCT50N120 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 318W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 318W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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SCT50N120 SCT50N120 Hersteller : STMicroelectronics SCT50N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
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SCT50N120 SCT50N120 Hersteller : STMicroelectronics sct50n120-1850083.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C)
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600+ 47.37 EUR
SCT50N120 Hersteller : STMicroelectronics 1209210774865124dm0020.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCT50N120 SCT50N120 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2581677.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 318W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 318W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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SCT50N120 SCT50N120 Hersteller : STMicroelectronics 1209210774865124dm0020.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCT50N120 SCT50N120 Hersteller : STMicroelectronics sct50n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
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