SCT50N120 STMicroelectronics
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Technische Details SCT50N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 318W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 318W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote SCT50N120 nach Preis ab 30.45 EUR bis 49.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SCT50N120 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT50N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT50N120 | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT50N120 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Power dissipation: 318W Case: HIP247™ Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 70mΩ Pulsed drain current: 130A Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV |
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| SCT50N120 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| SCT50N120 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 4+ | 47.25 EUR |
| SCT50N120 |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 49.28 EUR |
| 10+ | 40.57 EUR |
| 100+ | 35.83 EUR |
| 600+ | 35.22 EUR |
| SCT50N120 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 130A
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 130A
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
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