SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
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Technische Details SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 208W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote SCTH35N65G2V-7 nach Preis ab 14.22 EUR bis 24.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V |
auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTH35N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SCTH35N65G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCTH35N65G2V-7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
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Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 24.88 EUR |
| 10+ | 17.39 EUR |
| 100+ | 14.22 EUR |
| SCTH35N65G2V-7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id: 45A
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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Dauer-Drainstrom Id: 45A
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
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Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
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Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
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