SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 29.85 EUR |
| 10+ | 21.52 EUR |
| 100+ | 19.75 EUR |
| 500+ | 19.68 EUR |
| 1000+ | 16.62 EUR |
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Technische Details SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 238W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 238W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote SCTH40N120G2V-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SCTH40N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 238W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SCTH40N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 238W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 238W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCTH40N120G2V-7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
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Dauer-Drainstrom Id: 36A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
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auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SCTH40N120G2V-7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 13 Stücke:
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