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SCTH40N120G2V-7

SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics


scth40n120g2v-7.pdf Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
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Technische Details SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 238W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMICROELECTRONICS scth40n120g2v-7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMICROELECTRONICS scth40n120g2v-7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
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Verlustleistung Pd: 238W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00789652.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) H2PAK
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SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) H2PAK
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SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
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SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
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SCTH40N120G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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