SCTH70N120G2V-7 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 469W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 56.61 EUR |
| 50+ | 52.97 EUR |
| 100+ | 51.54 EUR |
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Technische Details SCTH70N120G2V-7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 469W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 469W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCTH70N120G2V-7 nach Preis ab 47.98 EUR bis 76.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCTH70N120G2V-7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 469W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTH70N120G2V-7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 76.62 EUR |
| 5+ | 66.78 EUR |
| 10+ | 56.76 EUR |
| 50+ | 53.55 EUR |
| 100+ | 47.98 EUR |