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SCTH90N65G2V-7

SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics

scth90n65g2v-7.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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Technische Details SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 484W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SCTH90N65G2V-7 SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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SCTH90N65G2V-7 SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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SCTH90N65G2V-7 SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf Description: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
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SCTH90N65G2V-7 SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an
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250+31.94 EUR
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SCTH90N65G2V-7 SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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SCTH90N65G2V-7 SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008658008-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCTH90N65G2V-7 SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008658008-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
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SCTH90N65G2V-7 Hersteller : STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 116A; Idm: 220A; 484W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 484W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 157nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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