SCTHC250N120G3AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 138.31 EUR |
| 10+ | 114.29 EUR |
| 100+ | 104.41 EUR |
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Technische Details SCTHC250N120G3AG STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package.

