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SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V STMicroelectronics

sctl35n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+16.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SCTL35N65G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTL35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 417W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMICROELECTRONICS sctl35n65g2v.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTL35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.55 EUR
11+21.05 EUR
50+19.36 EUR
100+17.83 EUR
250+17.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.4 EUR
10+23.7 EUR
100+20.62 EUR
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SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMICROELECTRONICS sctl35n65g2v.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTL35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.76 EUR
9+27.55 EUR
11+21.05 EUR
50+19.36 EUR
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250+17.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
auf Bestellung 2309 Stücke:
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1+35.77 EUR
10+27.23 EUR
100+22.71 EUR
500+20.23 EUR
1000+18.93 EUR
3000+18.91 EUR
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SCTL35N65G2V
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SCTL35N65G2V
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+33.4 EUR
10+23.7 EUR
100+20.62 EUR
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SCTL35N65G2V
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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8+34.76 EUR
9+27.55 EUR
11+21.05 EUR
50+19.36 EUR
100+17.83 EUR
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SCTL35N65G2V
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SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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1+35.77 EUR
10+27.23 EUR
100+22.71 EUR
500+20.23 EUR
1000+18.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH