SCTL90N65G2V STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 935W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 935W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 49.78 EUR |
| 50+ | 47.79 EUR |
| 100+ | 45.82 EUR |
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Technische Details SCTL90N65G2V STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 935W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 935W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Weitere Produktangebote SCTL90N65G2V nach Preis ab 34.14 EUR bis 62.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCTL90N65G2V | STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTL90N65G2V | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac |
auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTL90N65G2V | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 935W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 1506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTL90N65G2V |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 51.79 EUR |
| 10+ | 39.63 EUR |
| SCTL90N65G2V |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 56.19 EUR |
| 10+ | 41.15 EUR |
| 100+ | 40.19 EUR |
| 1000+ | 34.14 EUR |
| SCTL90N65G2V |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 935W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 935W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 62.68 EUR |
| 5+ | 56.06 EUR |
| 10+ | 49.78 EUR |
| 50+ | 47.79 EUR |
| 100+ | 45.82 EUR |