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SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V STMicroelectronics

sctl90n65g2v-2238257.pdf Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A
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Technische Details SCTL90N65G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 935W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Hersteller : STMICROELECTRONICS 3207675.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Hersteller : STMICROELECTRONICS 3207675.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 935W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SCTL90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R
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SCTL90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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SCTL90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
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SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
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SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
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