SCTL90N65G2V STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 43.52 EUR |
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Technische Details SCTL90N65G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 935W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCTL90N65G2V nach Preis ab 28.69 EUR bis 44.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SCTL90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTL90N65G2V | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCTL90N65G2V | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 935W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTL90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCTL90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SCTL90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
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| SCTL90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 935W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 935W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 157nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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