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SCTW100N65G2AG

SCTW100N65G2AG STMicroelectronics

sctw100n65g2ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 420W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
auf Bestellung 504 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details SCTW100N65G2AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW100N65G2AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote SCTW100N65G2AG nach Preis ab 46.33 EUR bis 62.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCTW100N65G2AG SCTW100N65G2AG STMicroelectronics sctw100n65g2ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
auf Bestellung 281 Stücke:
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SCTW100N65G2AG SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS 3934183.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTW100N65G2AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SCTW100N65G2AG sctw100n65g2ag.pdf
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SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW100N65G2AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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