SCTW100N65G2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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Technische Details SCTW100N65G2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW100N65G2AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCTW100N65G2AG nach Preis ab 34.82 EUR bis 38.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SCTW100N65G2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 100A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 420W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: HiP247™ Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
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SCTW100N65G2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H |
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SCTW100N65G2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW100N65G2AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 420W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCTW100N65G2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCTW100N65G2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTW100N65G2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 420W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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