Produkte > STMICROELECTRONICS > SCTW35N65G2V
SCTW35N65G2V

SCTW35N65G2V STMicroelectronics


sctw35n65g2v.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SCTW35N65G2V STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SCTW35N65G2V nach Preis ab 6.65 EUR bis 15.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
600+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
600+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v-1761483.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.36 EUR
600+14.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0009026417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V
Produktcode: 184678
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

sctw35n65g2v.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SCTW35N65G2V THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH