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SCTW35N65G2V

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Produktcode: 184678
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Geschäftskunde
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: HIP247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 73nC
Drain current: 45A
Power dissipation: 240W
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.3 EUR
10+11.95 EUR
100+11.79 EUR
600+11.42 EUR
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SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMICROELECTRONICS SGST-S-A0009026417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SCTW35N65G2V
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: HIP247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 73nC
Drain current: 45A
Power dissipation: 240W
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AnzahlPreis
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SCTW35N65G2V
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
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SCTW35N65G2V SGST-S-A0009026417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SCTW35N65G2V
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
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