SCTW40N120G2V STMicroelectronics
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Technische Details SCTW40N120G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCTW40N120G2V nach Preis ab 14.21 EUR bis 22.4 EUR
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SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A |
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SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V |
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SCTW40N120G2V | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SCTW40N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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