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SCTW40N120G2V

SCTW40N120G2V STMicroelectronics

sctw40n120g2v.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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Technische Details SCTW40N120G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw40n120g2v-1916581.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
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SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Hersteller : STMICROELECTRONICS 3207676.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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SCTW40N120G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
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SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW40N120G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTW40N120G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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