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SCTW40N120G2VAG

SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

sctw40n120g2vag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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Technische Details SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008385536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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