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SCTW40N120G2VAG

SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

sctw40n120g2vag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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Technische Details SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 290W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

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SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
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SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008385536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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