SCTW60N120G2 STMicroelectronics
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Technische Details SCTW60N120G2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 389W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCTW60N120G2 nach Preis ab 16.14 EUR bis 26.75 EUR
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 389W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 389W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 |
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| SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W Case: HIP247™ Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 94nC On-state resistance: 52mΩ Drain current: 60A Power dissipation: 389W Pulsed drain current: 177A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
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