SCTW60N120G2 STMicroelectronics
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Technische Details SCTW60N120G2 STMicroelectronics
Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 389W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 389W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 |
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| SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 389W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V |
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SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package |
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| SCTW60N120G2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
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