SCTW70N120G2V STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 547W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details SCTW70N120G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 547W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCTW70N120G2V nach Preis ab 32.95 EUR bis 49.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SCTW70N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTW70N120G2V | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 547W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTW70N120G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 150nC On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 91A Technology: SiC Case: HIP247™ Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 547W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
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