Produkte > STMICROELECTRONICS > SCTW70N120G2V
SCTW70N120G2V

SCTW70N120G2V STMicroelectronics

sctw70n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 547W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+50.05 EUR
30+37.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SCTW70N120G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 547W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Weitere Produktangebote SCTW70N120G2V nach Preis ab 39.21 EUR bis 58.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCTW70N120G2V SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.62 EUR
10+39.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2V SCTW70N120G2V STMICROELECTRONICS 3154058.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
SCTW70N120G2V
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+58.62 EUR
10+39.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2V 3154058.pdf
SCTW70N120G2V
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH