
SCTW90N65G2V STMicroelectronics
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 31.19 EUR |
10+ | 29.89 EUR |
25+ | 28.22 EUR |
250+ | 27.01 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SCTW90N65G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCTW90N65G2V nach Preis ab 27.01 EUR bis 51.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCTW90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
SCTW90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
SCTW90N65G2V | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 565W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
![]() |
SCTW90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
SCTW90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
SCTW90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
![]() |
SCTW90N65G2V | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |