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SCTW90N65G2V

SCTW90N65G2V STMicroelectronics


sctw90n65g2v.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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Technische Details SCTW90N65G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ TJ = 25 C)
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SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008657957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf SCTW90N65G2V THT N channel transistors
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SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V Hersteller : STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf Description: SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
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