SCTW90N65G2V STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 37.54 EUR |
| 10+ | 35.99 EUR |
| 25+ | 33.96 EUR |
| 250+ | 32.51 EUR |
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Technische Details SCTW90N65G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCTW90N65G2V nach Preis ab 32.8 EUR bis 73.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCTW90N65G2V | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCTW90N65G2V | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24 |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTW90N65G2V | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 565W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTW90N65G2V |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 37.54 EUR |
| 10+ | 36.78 EUR |
| 25+ | 35.27 EUR |
| 250+ | 34.33 EUR |
| SCTW90N65G2V |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 51.73 EUR |
| 10+ | 34.47 EUR |
| 100+ | 33.7 EUR |
| 600+ | 32.8 EUR |
| SCTW90N65G2V |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 73.72 EUR |
| 5+ | 63.7 EUR |
| 10+ | 54.41 EUR |
| 50+ | 50.02 EUR |
| 100+ | 47.58 EUR |