SCTWA35N65G2V-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.08 EUR |
| 10+ | 16.18 EUR |
| 100+ | 14.37 EUR |
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Technische Details SCTWA35N65G2V-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCTWA35N65G2V-4 nach Preis ab 11.06 EUR bis 19.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 240W Case: HIP247-4 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 73nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
Produkt ist nicht verfügbar |