SCTWA35N65G2V-4 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details SCTWA35N65G2V-4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote SCTWA35N65G2V-4 nach Preis ab 14.72 EUR bis 25.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics | SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors |
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| SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V |
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SCTWA35N65G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package |
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