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SCTWA35N65G2V

SCTWA35N65G2V STMicroelectronics

sctwa35n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
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Technische Details SCTWA35N65G2V STMicroelectronics

Description: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf Description: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
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SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMICROELECTRONICS 3212217.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
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Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
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SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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