SCTWA40N12G24AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 26.58 EUR |
| 10+ | 20.15 EUR |
| 100+ | 18.67 EUR |
| 600+ | 15.05 EUR |
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Technische Details SCTWA40N12G24AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCTWA40N12G24AG nach Preis ab 22 EUR bis 27.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SCTWA40N12G24AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
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SCTWA40N12G24AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA40N12G24AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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