Produkte > STMICROELECTRONICS > SCTWA40N12G24AG

SCTWA40N12G24AG STMICROELECTRONICS

Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SCTWA40N12G24AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SCTWA40N12G24AG

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	SCTWA40N12G24AG	Hersteller : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH