SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics
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Technische Details SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 389W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 389W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SCTWA60N120G2-4 nach Preis ab 48.23 EUR bis 51.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 389W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 389W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 388W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
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