SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
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Technische Details SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 389W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SCTWA60N120G2-4 nach Preis ab 20.81 EUR bis 30.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 388W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V |
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SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 389W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W Case: HIP247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 94nC On-state resistance: 52mΩ Drain current: 60A Power dissipation: 389W Pulsed drain current: 177A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SCTWA60N120G2-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W Case: HIP247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 94nC On-state resistance: 52mΩ Drain current: 60A Power dissipation: 389W Pulsed drain current: 177A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
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