SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 59.36 EUR |
| 5+ | 55.37 EUR |
| 10+ | 51.5 EUR |
| 25+ | 48.41 EUR |
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Technische Details SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics
Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 547W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote SCTWA70N120G2V-4 nach Preis ab 43.51 EUR bis 59.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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| SCTWA70N120G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA70N120G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA70N120G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
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| SCTWA70N120G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics | SCTWA70N120G2V-4 THT N channel transistors |
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| SCTWA70N120G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 547W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V |
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| SCTWA70N120G2V-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ 91 A |
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