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SCTWA90N65G2V-4

SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics

sctwa90n65g2v_4-1948716.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ 119 A
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Technische Details SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 565W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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SCTWA90N65G2V-4 SCTWA90N65G2V-4 Hersteller : STMICROELECTRONICS 3212218.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 119A
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Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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SCTWA90N65G2V-4 Hersteller : STMicroelectronics sctwa90n65g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
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