SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 52.05 EUR |
| 10+ | 39.66 EUR |
| 100+ | 36.6 EUR |
| 600+ | 32.88 EUR |
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Technische Details SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 565W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SCTWA90N65G2V-4 nach Preis ab 36.35 EUR bis 93.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SCTWA90N65G2V-4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 565W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 565W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA90N65G2V-4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA90N65G2V-4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCTWA90N65G2V-4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
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Verlustleistung Pd: 565W
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Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
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Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 93.81 EUR |
| 5+ | 83.73 EUR |
| 10+ | 74.16 EUR |
| SCTWA90N65G2V-4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 36.35 EUR |
| SCTWA90N65G2V-4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 36.35 EUR |