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SCTWA90N65G2V

SCTWA90N65G2V STMicroelectronics

sctwa90n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+50.15 EUR
30+32.49 EUR
120+31.08 EUR
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Technische Details SCTWA90N65G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCTWA90N65G2V SCTWA90N65G2V STMICROELECTRONICS 3199731.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 119A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.82 EUR
5+68.52 EUR
10+63.24 EUR
50+54.88 EUR
100+50.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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auf Bestellung 100 Stücke:
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SCTWA90N65G2V
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+73.82 EUR
5+68.52 EUR
10+63.24 EUR
50+54.88 EUR
100+50.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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